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Technische Details ZXMP6A16KTC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMP6A16KTC nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
auf Bestellung 3265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 13688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A16KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.6 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.6 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.65 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 0.7 EUR |
| 260+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2500+ | 0.56 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2500+ | 0.69 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.37 EUR |
| 14+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.57 EUR |
| 114+ | 2.05 EUR |
| 151+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| ZXMP6A16KTC |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.57 EUR |
| 114+ | 2.05 EUR |
| 151+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |