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ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC Diodes Zetex

zxmp6a18k.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details ZXMP6A18KTC Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V.

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ZXMP6A18KTC ZXMP6A18KTC Hersteller : Diodes Zetex zxmp6a18k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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ZXMP6A18KTC ZXMP6A18KTC Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E2E501A9AD98BF&compId=ZXMP6A18K.pdf?ci_sign=9ce587467aac6cf0c48ed137b5a8436941ac98ce Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10.4A
Power dissipation: 4.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
78+0.92 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
100+0.73 EUR
500+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 66
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10.4A
Power dissipation: 4.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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ZXMP6A18KTC ZXMP6A18KTC Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A18K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
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