ZXMP7A17GQTA Diodes Zetex
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZXMP7A17GQTA Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote ZXMP7A17GQTA nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm |
auf Bestellung 28834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
ZXMP7A17GQTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -1.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -70V Drain current: -1.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |