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ZXMS6004DN8-13

ZXMS6004DN8-13 DIODES INC.

ZXMS6004DN8.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
177+1.31 EUR
196+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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Technische Details ZXMS6004DN8-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: IntelliFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote ZXMS6004DN8-13 nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 Diodes Incorporated ZXMS6004DN8.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
16+1.34 EUR
25+1.21 EUR
50+1.13 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 DIODES INC. 2814482.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
131+1.77 EUR
248+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 Diodes Incorporated ZXMS6004DN8.pdf MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
auf Bestellung 186025 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMS6004DN8-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
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ZXMS6004DN8-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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111+2.26 EUR
131+1.77 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
auf Bestellung 186025 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
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2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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