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ZXMS6004DN8Q-13

ZXMS6004DN8Q-13 Diodes Incorporated

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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Low Side IntelliFET
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Technische Details ZXMS6004DN8Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.56W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMS6004DN8Q-13 ZXMS6004DN8Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMS6004DN8Q-13 ZXMS6004DN8Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMS6004DN8Q-13
Hersteller: DIODES INC.
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Hersteller: DIODES INC.
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