ZXMS6005DN8Q-13 Diodes Zetex
Hersteller: Diodes ZetexCurrent Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details ZXMS6005DN8Q-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMS6005DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.15 ohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung Pd: 1.56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.56W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXMS6005DN8Q-13 nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.48 EUR
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC Features: Auto Restart Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 2 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 150mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 60V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V Current - Output (Max): 1.8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs Low Side IntelliFET |
auf Bestellung 84554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC Features: Auto Restart Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 2 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 150mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 60V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V Current - Output (Max): 1.8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMS6005DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.15 ohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung Pd: 1.56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung, p-Kanal: 1.56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMS6005DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.15 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Self Protected Enhancement Mode Intellifet MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ZXMS6005DN8Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.8A Number of channels: 2 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 0...5.5V DC Operating temperature: -40...125°C |
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