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ZXT10N15DE6TA

ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated

ZXT10N15DE6.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26, Power - Max: 1.1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: SOT-26, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote ZXT10N15DE6TA nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXT10N15DE6TA ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated ZXT10N15DE6.pdf Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 1.1 W
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ZXT10N15DE6TA ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated ZXT10N15DE6.pdf Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 1.1 W
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ZXT10N15DE6TA ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated ZXT10N15DE6.pdf Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4
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ZXT10N15DE6TA
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
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Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4
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03/04+ SOT23-6
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