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Technische Details ZXT10N50DE6TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 165MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXT10N50DE6TA nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
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ZXT10N50DE6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SuperSOT4 |
Produkt ist nicht verfügbar |