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ZXT11N20DFTA

ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated

ZXT11N20DF.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXT11N20DFTA ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated ZXT11N20DF.pdf Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7979 Stücke:
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ZXT11N20DFTA ZXT11N20DFTA DIODES INC. DIOD-S-A0011522489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2858 Stücke:
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155+1.62 EUR
183+1.27 EUR
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ZXT11N20DFTA ZXT11N20DFTA DIODES INC. DIOD-S-A0011522489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXT11N20DFTA ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated ZXT11N20DF.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4
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ZXT11N20DFTA Diodes Zetex ZXT11N20DF.pdf Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXT11N20DFTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
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ZXT11N20DFTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
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Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4
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10+1.38 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R
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