ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
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Dauer-Kollektorstrom: 4A
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Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 55MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 55MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ZXT13P12DE6 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 55MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXT13P12DE6 | Hersteller : ZETEX |
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