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ZXTC2061E6TA

ZXTC2061E6TA Diodes Zetex

4407134119147728zxtc2061e6.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXTC2061E6TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 260MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 1.1W, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A, Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A.

Weitere Produktangebote ZXTC2061E6TA nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTC2061E6TA ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-26
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ZXTC2061E6TA ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-26
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ZXTC2061E6TA ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated ZXTC2061E6.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V 1A Medium Power TRANSISTOR
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ZXTC2061E6TA ZXTC2061E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0002833222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 260MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A
Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
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ZXTC2061E6TA ZXTC2061E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0002833222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A
Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
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ZXTC2061E6TA
ZXTC2061E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A
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Supplier Device Package: SOT-26
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ZXTC2061E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-26
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 12V 1A Medium Power TRANSISTOR
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.13 EUR
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500+0.92 EUR
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3000+0.61 EUR
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ZXTC2061E6TA DIOD-S-A0002833222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTC2061E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A
Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
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ZXTC2061E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 260MHz
euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A
Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
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