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ZXTC2062E6TA

ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated


Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 144000 Stücke:
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Technische Details ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23, Supplier Device Package: SOT-26, Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A, Power - Max: 1.1W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote ZXTC2062E6TA nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto
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100+0.6 EUR
500+0.52 EUR
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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ZXTC2062E6TA
ZXTC2062E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto
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4+0.74 EUR
10+0.73 EUR
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ZXTC2062E6TA
ZXTC2062E6TA
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Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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