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ZXTC2062E6TA

ZXTC2062E6TA Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
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Technische Details ZXTC2062E6TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.1W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A, Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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9000+0.4 EUR
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Zetex 35301630584750792zxtc2062e6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 144000 Stücke:
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3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.5 EUR
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto
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4+0.88 EUR
10+0.87 EUR
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000789631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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239+0.98 EUR
282+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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ZXTC2062E6TA ZXTC2062E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000789631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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124+2.02 EUR
171+1.36 EUR
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500+0.61 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
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387+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
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6000+0.43 EUR
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15000+0.38 EUR
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ZXTC2062E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
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3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
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ZXTC2062E6TA
ZXTC2062E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 144000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.5 EUR
15000+0.48 EUR
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ZXTC2062E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.71 EUR
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3000+0.51 EUR
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ZXTC2062E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.98 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
auf Bestellung 146724 Stücke:
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17+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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ZXTC2062E6TA DIOD-S-A0000789631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTC2062E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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171+1.36 EUR
256+0.83 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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