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ZXTC2063E6TA

ZXTC2063E6TA Diodes Zetex

891zxtc2063e6.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXTC2063E6TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 700mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A, Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Zetex 891zxtc2063e6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Zetex 891zxtc2063e6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz
Supplier Device Package: SOT-26
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Zetex 891zxtc2063e6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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267+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 267
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Zetex 891zxtc2063e6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
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259+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 259
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTC2063E6.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3.5/3A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
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99+0.73 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR
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3+1.24 EUR
10+0.93 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
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3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz
Supplier Device Package: SOT-26
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9+1.97 EUR
15+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : DIODES INC. DIODS15769-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3447 Stücke:
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ZXTC2063E6TA ZXTC2063E6TA Hersteller : DIODES INC. DIODS15769-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A
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