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ZXTD4591E6TA

ZXTD4591E6.pdf
Produktcode: 187170
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IC > IC Analog

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual 60V NPN/PNP
auf Bestellung 8140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA DIODES INC. ZXTD4591E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA DIODES INC. ZXTD4591E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
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ZXTD4591E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPreis
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6000+0.37 EUR
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Bipolar Transistors - BJT Dual 60V NPN/PNP
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ZXTD4591E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16570 Stücke:
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11+1.62 EUR
18+1.02 EUR
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1000+0.47 EUR
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ZXTD4591E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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ZXTD4591E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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