ZXTN19055DZTA Diodes Incorporated
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| 500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details ZXTN19055DZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN19055DZTA nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| ZXTN19055DZTA |
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ZXTN19055DZTA Produktcode: 67095
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 55V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W |
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