ZXTN19055DZTA
Produktcode: 67095
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Weitere Produktangebote ZXTN19055DZTA nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A |
auf Bestellung 63153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN19055DZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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ZXTN19055DZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN19055DZTA |
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auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXTN19055DZTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.42 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| 7000+ | 0.38 EUR |
| 10000+ | 0.37 EUR |
| 25000+ | 0.35 EUR |
| ZXTN19055DZTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A
auf Bestellung 63153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.67 EUR |
| 17+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| ZXTN19055DZTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.97 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| ZXTN19055DZTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXTN19055DZTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXTN19055DZTA |
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auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




