ZXTN19055DZTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN19055DZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXTN19055DZTA nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 55V 6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| ZXTN19055DZTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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| ZXTN19055DZTA |
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ZXTN19055DZTA Produktcode: 67095
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 55V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN19055DZTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 55V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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