ZXTN19100CGTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN19100CGTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5.5, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN19100CGTA nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN19100CGTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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