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ZXTN2005GTA

ZXTN2005GTA Diodes Zetex

536zxtn2005g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTN2005GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote ZXTN2005GTA nach Preis ab 0.61 EUR bis 4.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Diodes Zetex 536zxtn2005g.pdf Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+0.74 EUR
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ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
100+1.04 EUR
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ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V NPN Low Sat
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ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA DIODES INC. ZXTN2005G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
109+2.14 EUR
154+1.39 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA DIODES INC. ZXTN2005G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.77 EUR
109+2.14 EUR
154+1.39 EUR
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ZXTN2005GTA DIODES INCORPORATED ZXTN2005G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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ZXTN2005GTA DIODES/ZETEX ZXTN2005G.pdf NPN 7A 25V 3W 150MHz ZXTN2005G smd TZXTN2005g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2005GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2005GTA ZXTN2005G.pdf
ZXTN2005GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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ZXTN2005GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 25V NPN Low Sat
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.23 EUR
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ZXTN2005GTA ZXTN2005G.pdf
ZXTN2005GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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109+2.14 EUR
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Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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100+4.77 EUR
109+2.14 EUR
154+1.39 EUR
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2005GTA ZXTN2005G.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
NPN 7A 25V 3W 150MHz ZXTN2005G smd TZXTN2005g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN2005GTA ZXTN2005G.pdf
Hersteller: ZETEX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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