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ZXTN2005ZQTA

ZXTN2005ZQTA Diodes Zetex

zxtn2005zq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTN2005ZQTA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q101.

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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2005zq.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2005ZQ.pdf Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2005ZQ.pdf Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740126_1-2542838.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Inc zxtn2005zq.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN2005ZQTA ZXTN2005ZQTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2005zq.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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