ZXTN2010GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN2010GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXTN2010GTA nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat |
auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 267691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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