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ZXTN2010GTA Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTN2010GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
3000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
7000+0.57 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.77 EUR
70+1.23 EUR
95+0.89 EUR
110+0.77 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 13129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
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2+2.89 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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auf Bestellung 35 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 256000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
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1000+0.61 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
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3000+0.52 EUR
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10000+0.4 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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1000+0.7 EUR
2000+0.6 EUR
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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1000+0.71 EUR
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
3000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
7000+0.57 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
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49+1.77 EUR
70+1.23 EUR
95+0.89 EUR
110+0.77 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 13129 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
auf Bestellung 870 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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