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ZXTN2011GTA

ZXTN2011GTA Diodes Zetex

9200665261848216zxtn2011g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 892 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details ZXTN2011GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Zetex 9200665261848216zxtn2011g.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+0.45 EUR
724+0.23 EUR
735+0.21 EUR
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772+0.19 EUR
785+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Zetex 9200665261848216zxtn2011g.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.52 EUR
3000+0.51 EUR
5000+0.49 EUR
7000+0.46 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Zetex 9200665261848216zxtn2011g.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Incorporated ZXTN2011G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
3000+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
7000+0.58 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Incorporated ZXTN2011G.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
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2+2.48 EUR
10+1.55 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Diodes Incorporated ZXTN2011G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
123+1.89 EUR
206+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
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ZXTN2011GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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724+0.23 EUR
735+0.21 EUR
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785+0.18 EUR
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1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTN2011GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.55 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.64 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
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14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
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ZXTN2011GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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ZXTN2011GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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