ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1000+ | 0.88 EUR |
2000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN2011ZTA nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 2.1W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 2.1W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
auf Bestellung 1335 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : DIODES/ZETEX |
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTN2011ZTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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