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ZXTN2011ZTA

ZXTN2011ZTA Diodes Zetex

1244zxtn2011z.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Technische Details ZXTN2011ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA Diodes Zetex 1244zxtn2011z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 23000 Stücke:
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated ZXTN2011Z.pdf Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
3000+0.6 EUR
5000+0.56 EUR
7000+0.55 EUR
10000+0.52 EUR
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated ZXTN2011Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
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2+2.32 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated ZXTN2011Z.pdf Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 24990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA DIODES INC. DIODS15819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
129+1.81 EUR
194+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA DIODES INC. DIODS15819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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ZXTN2011ZTA DIODES/ZETEX ZXTN2011Z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN2011ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
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5000+0.56 EUR
7000+0.55 EUR
10000+0.52 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
auf Bestellung 2000 Stücke:
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10+1.46 EUR
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500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN2011ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 24990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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ZXTN2011ZTA DIODS15819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN2011ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+3.09 EUR
129+1.81 EUR
194+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN2011ZTA DIODS15819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN2011ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
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100+3.09 EUR
129+1.81 EUR
194+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXTN2011ZTA ZXTN2011Z.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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