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ZXTN2020FTA

ZXTN2020FTA Diodes Zetex

zxtn2020f.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXTN2020FTA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 100V 4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.2 W.

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ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2020f.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2020F.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
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ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2020F.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
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ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2020F.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V Transistor
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ZXTN2020FTA Hersteller : Diodes INC. ZXTN2020F.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 100; Ic = 4 А; ft, МГц = 130; hFE = 100 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 20 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 400 мA, 4 А; Р, Вт = 1,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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