ZXTN25012EFHTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN25012EFHTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.81W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXTN25012EFHTA nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 12V 6A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| ZXTN25012EFHTA |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25012EFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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