ZXTN25020DGTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 7A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 2000+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.72 EUR |
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Technische Details ZXTN25020DGTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN25020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN25020DGTA nach Preis ab 0.72 EUR bis 2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXTN25020DGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN |
auf Bestellung 11904 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ZXTN25020DGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 20V 7A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 700mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTN25020DGTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25020DGTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25020DGTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 20V 7A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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