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ZXTN25100DFHTA


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Produktcode: 202436
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA Diodes Zetex zxtn25100dfh.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 1200 Stücke:
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ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated ZXTN25100DFH.pdf Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated ZXTN25100DFH.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
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2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA DIODES INC. DIODS12149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 845 Stücke:
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110+2.27 EUR
177+1.31 EUR
286+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA DIODES INC. DIODS12149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTN25100DFHTA zxtn25100dfh.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
581+0.3 EUR
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ZXTN25100DFHTA zxtn25100dfh.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
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481+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFH.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
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10+1.06 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
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