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ZXTN25100DGQTA

ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 97000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
auf Bestellung 509 Stücke:
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 98981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.08 EUR
14+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 298 Stücke:
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 298 Stücke:
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ZXTN25100DGQTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTN25100DG.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Anzahl Preis
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : Diodes Inc 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Hersteller : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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