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ZXTN5551ZTA

ZXTN5551ZTA Diodes Zetex

686zxtn5551z.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTN5551ZTA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1.2 W.

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ZXTN5551ZTA ZXTN5551ZTA Hersteller : Diodes Zetex 686zxtn5551z.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN5551ZTA ZXTN5551ZTA Hersteller : Diodes Zetex 686zxtn5551z.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN5551ZTA ZXTN5551ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN5551Z.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
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ZXTN5551ZTA ZXTN5551ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN5551Z.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
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