ZXTN619MATA
Produktcode: 220206
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 80455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
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| ZXTN619MATA | Hersteller : Diodes Inc./Zetex |
TRANS NPN 50V 4A 3-DFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ZXTN619MATA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4.3A; 2.45W; U-DFN2020-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4.3A Power dissipation: 2.45W Case: U-DFN2020-3 Current gain: 40...400 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 165MHz |
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| ADS131A04IPBS мікросхема Produktcode: 214039
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| LTR-516AD Produktcode: 125297
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| SFH203PFA Produktcode: 124243
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Hersteller: Osram
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 50 V
Spektrum 0.5, nm: 750-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900 nm
ton/tof, mks: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 50 V
Spektrum 0.5, nm: 750-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900 nm
ton/tof, mks: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
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