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ZXTN619MATA

ZXTN619MA.pdf
Produktcode: 220206
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXTN619MATA ZXTN619MATA Diodes Incorporated ZXTN619MA.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
15000+0.31 EUR
21000+0.3 EUR
30000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ZXTN619MATA ZXTN619MATA Diodes Incorporated ZXTN619MA.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.73 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ZXTN619MATA ZXTN619MATA Diodes Incorporated ZXTN619MA.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 80455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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ZXTN619MATA ZXTN619MATA DIODES INC. DIOD-S-A0008363460-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ZXTN619MATA ZXTN619MATA Diodes Zetex zxtn619ma.pdf Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ZXTN619MATA ZXTN619MATA DIODES INC. DIOD-S-A0008363460-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXTN619MATA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
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10+0.73 EUR
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ZXTN619MATA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 80455 Stücke:
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ZXTN619MATA DIOD-S-A0008363460-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXTN619MATA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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ZXTN619MATA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ZXTN619MATA DIOD-S-A0008363460-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXTN619MATA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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TPS40210DRCR
Produktcode: 218447
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IC > IC Mikrokontroller
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LM51551DSSR
Produktcode: 218444
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IC > IC Netzteile
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ADS131A04IPBS мікросхема
Produktcode: 214039
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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LTR-516AD
Produktcode: 125297
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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SFH203PFA
Produktcode: 124243
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Hersteller: Osram
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 50 V
Spektrum 0.5, nm: 750-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900 nm
ton/tof, mks: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
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