ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| 9000+ | 0.26 EUR |
| 15000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45W, Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXTN620MATA nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZXTN620MATA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 20872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN620MATA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN620MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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ZXTN620MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXTN620MATA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.21 EUR |
| 24+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| ZXTN620MATA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| ZXTN620MATA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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