ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.7 EUR |
| 10000+ | 0.66 EUR |
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Technische Details ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 5.8W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote ZXTP03200BGTA nach Preis ab 0.7 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 26545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V |
auf Bestellung 1391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXTP03200BGTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.78 EUR |
| 13+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| ZXTP03200BGTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.8 EUR |
| 10+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.97 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| ZXTP03200BGTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
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Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 969 Stücke:
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| ZXTP03200BGTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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