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ZXTP03200BGTA

ZXTP03200BGTA Diodes Zetex

5601356434133025zxtp03200bg.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTP03200BGTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 5.8W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Zetex 5601356434133025zxtp03200bg.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2000+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.56 EUR
25000+0.52 EUR
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Zetex 5601356434133025zxtp03200bg.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Zetex 5601356434133025zxtp03200bg.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated ZXTP03200BG.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated ZXTP03200BG.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 26545 Stücke:
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10+2.12 EUR
13+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated ZXTP03200BG.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
auf Bestellung 1391 Stücke:
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2+2.14 EUR
10+1.75 EUR
100+1.37 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA DIODES INC. ZXTP03200BG.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
125+1.86 EUR
192+1.12 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA DIODES INC. ZXTP03200BG.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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100+3.09 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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1000+0.64 EUR
7000+0.58 EUR
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21000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.64 EUR
2000+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.56 EUR
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1000+0.71 EUR
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Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTP03200BGTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
10000+0.79 EUR
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ZXTP03200BGTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
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13+1.73 EUR
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ZXTP03200BGTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
auf Bestellung 1391 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.75 EUR
100+1.37 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTP03200BGTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
81+3.09 EUR
125+1.86 EUR
192+1.12 EUR
500+0.96 EUR
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ZXTP03200BGTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.09 EUR
125+1.86 EUR
192+1.12 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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