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ZXTP03200BZTA

ZXTP03200BZTA Diodes Zetex

zxtp03200bz.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 61000 Stücke:
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Technische Details ZXTP03200BZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.7W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Zetex zxtp03200bz.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Zetex zxtp03200bz.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Zetex zxtp03200bz.pdf Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZ.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+0.65 EUR
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZ.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7376 Stücke:
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14+1.59 EUR
17+1.31 EUR
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500+0.86 EUR
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZ.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.33 EUR
100+1.04 EUR
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA DIODES INC. ZXTP03200BZ.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
136+1.71 EUR
191+1.12 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA DIODES INC. ZXTP03200BZ.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
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Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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136+1.71 EUR
191+1.12 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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