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ZXTP03200BZTA

ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated

ZXTP03200BZ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.59 EUR
2000+0.55 EUR
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Technische Details ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3, Power - Max: 1.1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 105MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote ZXTP03200BZTA nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZ.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7376 Stücke:
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14+1.34 EUR
17+1.1 EUR
100+0.85 EUR
500+0.72 EUR
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ZXTP03200BZTA ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZ.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.12 EUR
100+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ZXTP03200BZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
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