ZXTP07012EFFTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTP07012EFFTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXTP07012EFFTA nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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ZXTP07012EFFTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
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