ZXTP2008GTA Diodes Incorporated
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.36 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2000+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details ZXTP2008GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXTP2008GTA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ZXTP2008GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2008GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP2008GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008GTA |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP2008GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 |
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