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ZXTP2009ZTA

ZXTP2009Z.pdf
Produktcode: 142698
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated ZXTP2009Z.pdf Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 152MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated ZXTP2009Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat
auf Bestellung 5276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.48 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.61 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
154+1.51 EUR
182+1.18 EUR
223+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
154+1.51 EUR
182+1.18 EUR
223+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated ZXTP2009Z.pdf Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 152MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXTP2009ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 152MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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ZXTP2009ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat
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ZXTP2009ZTA DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2009ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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182+1.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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ZXTP2009ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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124+2.02 EUR
154+1.51 EUR
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ZXTP2009ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 152MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
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