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ZXTP2009ZTA

ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated

ZXTP2009Z.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Technische Details ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 152MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2009Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2009Z.pdf Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2.1 W
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3270 Stücke:
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Produktcode: 142698
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ZXTP2009ZTA ZXTP2009ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxtp2009z.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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