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ZXTP2013GTA

ZXTP2013GTA Diodes Incorporated

ZXTP2013G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
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Technische Details ZXTP2013GTA Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3, Power - Max: 3 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 125MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote ZXTP2013GTA nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXTP2013GTA ZXTP2013GTA Diodes Incorporated ZXTP2013G.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power
auf Bestellung 2453 Stücke:
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3+1.36 EUR
10+1.12 EUR
100+0.87 EUR
500+0.74 EUR
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ZXTP2013GTA ZXTP2013GTA Diodes Incorporated ZXTP2013G.pdf Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 29473 Stücke:
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13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
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Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power
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100+0.87 EUR
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Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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