ZXTP2014ZQTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTP2014ZQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXTP2014ZQTA nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTP2014ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
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ZXTP2014ZQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
140V PNP Low Saturation Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 |
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ZXTP2014ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZXTP2014ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| ZXTP2014ZQTA | Hersteller : Diodes Inc |
140V PNP Low Saturation Medium Power Transistor |
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ZXTP2014ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist |
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