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ZXTP2014ZTA

ZXTP2014ZTA Diodes Zetex

zxtp2014z.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 140V 3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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Technische Details ZXTP2014ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA Diodes Zetex zxtp2014z.pdf Trans GP BJT PNP 140V 3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA Diodes Zetex zxtp2014z.pdf Trans GP BJT PNP 140V 3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA Diodes Incorporated ZXTP2014Z.pdf Description: TRANS PNP 140V 3A SOT89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1000+0.71 EUR
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5000+0.6 EUR
10000+0.56 EUR
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA Diodes Incorporated ZXTP2014Z.pdf Description: TRANS PNP 140V 3A SOT89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA Diodes Incorporated ZXTP2014Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Low Sat
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2+1.69 EUR
10+1.48 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
10000+0.58 EUR
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011482530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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ZXTP2014ZTA ZXTP2014ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011482530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXTP2014ZTA
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Trans GP BJT PNP 140V 3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP2014ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 140V 3A SOT89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2000+0.63 EUR
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ZXTP2014ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 140V 3A SOT89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29840 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
13+1.68 EUR
15+1.44 EUR
100+1 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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ZXTP2014ZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Low Sat
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+1.48 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTP2014ZTA DIOD-S-A0011482530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2014ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 875 Stücke:
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109+2.3 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.74 EUR
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ZXTP2014ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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129+1.81 EUR
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