ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
| 9000+ | 0.35 EUR |
| 15000+ | 0.33 EUR |
| 21000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.81W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXTP25012EFHTA nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTP25012EFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
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ZXTP25012EFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W |
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ZXTP25012EFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP25012EFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP25012EFHTA |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP25012EFHTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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