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ZXTP25012EZTA

ZXTP25012EZTA Diodes Zetex

zxtp25012ez.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTP25012EZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Zetex zxtp25012ez.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Incorporated ZXTP25012EZ.pdf Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 310MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Incorporated ZXTP25012EZ.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN
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2+1.69 EUR
10+1.05 EUR
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA Diodes Incorporated ZXTP25012EZ.pdf Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3
Frequency - Transition: 310MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
auf Bestellung 5222 Stücke:
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011559365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 768 Stücke:
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124+2.02 EUR
199+1.17 EUR
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ZXTP25012EZTA ZXTP25012EZTA DIODES INC. DIOD-S-A0011559365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXTP25012EZTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 310MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3
Frequency - Transition: 310MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A
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Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
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ZXTP25012EZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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