ZXTP5401FLTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 0.60 EUR |
| 48+ | 0.37 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details ZXTP5401FLTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTP5401FLTA nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ZXTP5401FLTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A |
auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP5401FLTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP5401FLTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP5401FLTA |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP5401FLTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTP5401FLTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 330 mW |
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