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ZXTP717MATA

ZXTP717MATA Diodes Incorporated

ZXTP717MA.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
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Technische Details ZXTP717MATA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.45W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote ZXTP717MATA nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP717MATA ZXTP717MATA Diodes Incorporated ZXTP717MA.pdf Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 3407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
22+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
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ZXTP717MATA ZXTP717MATA DIODES INC. DIODS13438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
173+1.34 EUR
274+0.79 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
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ZXTP717MATA ZXTP717MATA DIODES INC. DIODS13438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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117+2.14 EUR
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