ZXTP717MATA Diodes Incorporated
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details ZXTP717MATA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45W, Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXTP717MATA nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ZXTP717MATA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 3407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP717MATA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP717MATA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP717MATA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W |
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