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ZXTP720MATA

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Produktcode: 220207
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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ZXTP720MATA ZXTP720MATA Diodes Incorporated ZXTP720MA.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V, 1.5 PNP Low Saturation Switching Transistor
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
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ZXTP720MATA ZXTP720MATA Diodes Incorporated ZXTP720MA.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 9401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
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ZXTP720MATA ZXTP720MATA DIODES INC. DIODS13440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ZXTP720MATA ZXTP720MATA DIODES INC. DIODS13440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V, 1.5 PNP Low Saturation Switching Transistor
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 3A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3 W
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ZXTP720MATA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Produktcode: 124243
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Hersteller: Osram
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 50 V
Spektrum 0.5, nm: 750-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900 nm
ton/tof, mks: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
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