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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TGA2567-SM Qorvo da004103 QFN-24 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2576-2-FL Qorvo RF Amplifier 2.5-6.0GHz Gain 26dB GaN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2578-CP Qorvo RF Amplifier 2-6GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2585-SM Qorvo QFN-32 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2590-CP Qorvo da004166 RF Amplifier 6-12GHz 30W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2599-SM Qorvo RF Amplifier 5-8GHz 25W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2701-SM Qorvo RF Amplifier 5.9-8.5GHz Gain 18dB Pwr 35dBm NF 7.5dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2752-SM Qorvo RF Amplifier 7.1-8.5 GHz, 10 W GaAs / GaN PA QFN-42 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2753-SMT Qorvo RF Amplifier 5.8-7.1 GHZ 10W PA Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2760-SM Qorvo RF Amplifier 9.5-12GHz Psat 42dBm Gain 33dB GaAs Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2963-CP Qorvo RF Amplifier 6-18GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA2976-SM Qorvo da004437 RF Amplifier .1-3GHz 10W GaN PAE >48% SSG >20dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA3042-SM Qorvo da005912 RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGA3042-SMTR7 Qorvo da005912 RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz , X-BAND GAN 5W PSAT P Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGL2208-SM Qorvo da004982 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGL2217-SMTR7 Qorvo da005002 0.1-20GHZ 10W VPIN LIMITER Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGL2616-SM Qorvo Attenuators 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2767-SM Qorvo da005032 Attenuators 2-31GHz Attn. 20dB IL <2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2927-SM Qorvo Signal Conditioning 2-4GHz 200W IL <.6dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGM2635-CP Qorvo da005054 РЧ-усилитель 7.9-11GHz 100W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGP2109-SM Qorvo da005089 Phase Detectors/Shifters 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg. Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TGS4304 Qorvo RF Switch ICs 32-40 GHz SPDT VPIN Switch Absorptive Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQL9062 Qorvo da005282 500-6000MHZ HIGH LINNEARITY GAIN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQL9063 Qorvo da005288 RF Amplifier 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQL9092 Qorvo da005305 RF Amplifier .6-4.2GHz NF .6dB Flat Gain 2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQP0104 Qorvo RF Amplifier DC-4GHz 30W GaN Drain Eff. 64% Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQP369181 Qorvo RF Amplifier DC-6GHz NF 3.6dB Gain 15.3dB 50 Ohm (SGA-4263Z) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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TQP3M9008 Qorvo da005504 РЧ-усилитель, 05GHz to 4GHz, 35.5dBm OIP3, SOT-89 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9019 Qorvo da005523 RF Amplifier .05-4GHz P1dB= 22dB Gain 26.4dB 5Volts Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9028 Qorvo da005528 RF Amplifier 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9036 Qorvo da005543 RF Amplifier 400-2000MHz NF.45dB Gain 19dB @.9GHz LNA, DFN-8 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9037 Qorvo da005549 РЧ-усилитель, 0.7-6.0 ГГц Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9038 Qorvo da005557 RF Amplifier 50-4000MHz NF 2dB Gain 14.7dB 50 ohm Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9101 Qorvo da005640 RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W (SXA389BZ) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9102 Qorvo RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9103 Qorvo da005652 RF Amplifier 400-4000MHZ 5VOLT GAIN 16.6DB NF 4.4DB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9105 Qorvo da005665 РЧ-усилитель, 50 MHz to 1.5 GHz, SOT-89-3 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9106 Qorvo da005671 RF Amplifier IC CDMA, LTE, W-CDMA 50MHz ~ 1.5GHz 24-QFN (4x4) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP9111 Qorvo da005717 RF Amplifier 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
19+12.41 EUR
20+10.95 EUR
50+10.44 EUR
100+9 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
29+7.45 EUR
50+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.84 EUR
23+10.28 EUR
25+8.83 EUR
50+7.95 EUR
100+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.56 EUR
15+16.12 EUR
16+13.84 EUR
50+13.23 EUR
100+12.64 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.49 EUR
9+28.85 EUR
10+25.43 EUR
50+24.2 EUR
100+20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
75+3.11 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.56 EUR
10+43.42 EUR
50+40.44 EUR
100+37.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
50+4.69 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO UF4C120070K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.39 EUR
8+30.38 EUR
10+23.24 EUR
50+20.84 EUR
100+19.23 EUR
250+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+117.5 EUR
5+95.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO UF3C170400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
16+15.15 EUR
17+13.36 EUR
50+12.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.49 EUR
19+11.35 EUR
50+10.82 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.07 EUR
24+9.84 EUR
25+8.65 EUR
50+8.25 EUR
100+7.12 EUR
250+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO 3971386.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.63 EUR
10+28.86 EUR
50+27.72 EUR
100+26.61 EUR
250+25.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO 3750922.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
66+3.52 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.59 EUR
21+11.53 EUR
23+9.64 EUR
50+8.63 EUR
100+7.34 EUR
250+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+34.86 EUR
10+31.65 EUR
50+31.12 EUR
100+30.61 EUR
250+30.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S QORVO UJ4C075023K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.01 EUR
10+25.54 EUR
50+24.31 EUR
100+21.53 EUR
250+21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD QORVO 3750919.pdf Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+19.47 EUR
13+17.16 EUR
50+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 QORVO 3971409.pdf Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+30.8 EUR
10+27.12 EUR
50+25.83 EUR
100+22.3 EUR
250+20.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S QORVO 3971404.pdf Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.98 EUR
10+25.73 EUR
50+23.8 EUR
100+20.54 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2567-SM da004103
Hersteller: Qorvo
QFN-24 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2576-2-FL
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 2.5-6.0GHz Gain 26dB GaN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2578-CP
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 2-6GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2585-SM
Hersteller: Qorvo
QFN-32 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2590-CP da004166
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 6-12GHz 30W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2599-SM
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 5-8GHz 25W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2701-SM
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 5.9-8.5GHz Gain 18dB Pwr 35dBm NF 7.5dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2752-SM
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 7.1-8.5 GHz, 10 W GaAs / GaN PA QFN-42 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2753-SMT
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 5.8-7.1 GHZ 10W PA Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2760-SM
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 9.5-12GHz Psat 42dBm Gain 33dB GaAs Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2963-CP
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 6-18GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA2976-SM da004437
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier .1-3GHz 10W GaN PAE >48% SSG >20dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA3042-SM da005912
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGA3042-SMTR7 da005912
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz , X-BAND GAN 5W PSAT P Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2208-SM da004982
Hersteller: Qorvo
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2217-SMTR7 da005002
Hersteller: Qorvo
0.1-20GHZ 10W VPIN LIMITER Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2616-SM
Hersteller: Qorvo
Attenuators 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2767-SM da005032
Hersteller: Qorvo
Attenuators 2-31GHz Attn. 20dB IL <2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGL2927-SM
Hersteller: Qorvo
Signal Conditioning 2-4GHz 200W IL <.6dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGM2635-CP da005054
Hersteller: Qorvo
РЧ-усилитель 7.9-11GHz 100W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGP2109-SM da005089
Hersteller: Qorvo
Phase Detectors/Shifters 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg. Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TGS4304
Hersteller: Qorvo
RF Switch ICs 32-40 GHz SPDT VPIN Switch Absorptive Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQL9062 da005282
Hersteller: Qorvo
500-6000MHZ HIGH LINNEARITY GAIN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQL9063 da005288
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQL9092 da005305
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier .6-4.2GHz NF .6dB Flat Gain 2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP0104
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier DC-4GHz 30W GaN Drain Eff. 64% Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP369181
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier DC-6GHz NF 3.6dB Gain 15.3dB 50 Ohm (SGA-4263Z) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9008 da005504
Hersteller: Qorvo
РЧ-усилитель, 05GHz to 4GHz, 35.5dBm OIP3, SOT-89 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9019 da005523
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier .05-4GHz P1dB= 22dB Gain 26.4dB 5Volts Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9028 da005528
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9036 da005543
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 400-2000MHz NF.45dB Gain 19dB @.9GHz LNA, DFN-8 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9037 da005549
Hersteller: Qorvo
РЧ-усилитель, 0.7-6.0 ГГц Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP3M9038 da005557
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 50-4000MHz NF 2dB Gain 14.7dB 50 ohm Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9101 da005640
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W (SXA389BZ) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9102
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9103 da005652
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHZ 5VOLT GAIN 16.6DB NF 4.4DB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9105 da005665
Hersteller: Qorvo
РЧ-усилитель, 50 MHz to 1.5 GHz, SOT-89-3 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP7M9106 da005671
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier IC CDMA, LTE, W-CDMA 50MHz ~ 1.5GHz 24-QFN (4x4) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TQP9111 da005717
Hersteller: Qorvo
RF Amplifier 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+13.97 EUR
19+12.41 EUR
20+10.95 EUR
50+10.44 EUR
100+9 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.12 EUR
29+7.45 EUR
50+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.84 EUR
23+10.28 EUR
25+8.83 EUR
50+7.95 EUR
100+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.56 EUR
15+16.12 EUR
16+13.84 EUR
50+13.23 EUR
100+12.64 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+32.49 EUR
9+28.85 EUR
10+25.43 EUR
50+24.2 EUR
100+20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.57 EUR
75+3.11 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+50.56 EUR
10+43.42 EUR
50+40.44 EUR
100+37.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.77 EUR
50+4.69 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3S UF4C120070K3S-D.PDF
UF4C120070K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.39 EUR
8+30.38 EUR
10+23.24 EUR
50+20.84 EUR
100+19.23 EUR
250+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+117.5 EUR
5+95.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S UF3C170400K3S-D.PDF
UF3C170400K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.06 EUR
16+15.15 EUR
17+13.36 EUR
50+12.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.49 EUR
19+11.35 EUR
50+10.82 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.07 EUR
24+9.84 EUR
25+8.65 EUR
50+8.25 EUR
100+7.12 EUR
250+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7S 3971386.pdf
UJ4SC075018B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+33.63 EUR
10+28.86 EUR
50+27.72 EUR
100+26.61 EUR
250+25.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TS 3750922.pdf
UJ3D06506TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+4.32 EUR
66+3.52 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.59 EUR
21+11.53 EUR
23+9.64 EUR
50+8.63 EUR
100+7.34 EUR
250+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8S 3971391.pdf
UJ4SC075018L8S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+34.86 EUR
10+31.65 EUR
50+31.12 EUR
100+30.61 EUR
250+30.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S-D.PDF
UJ4C075023K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+29.01 EUR
10+25.54 EUR
50+24.31 EUR
100+21.53 EUR
250+21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1220KSD 3750919.pdf
UJ3D1220KSD
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+19.47 EUR
13+17.16 EUR
50+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1725K2 3971409.pdf
UJ3D1725K2
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+30.8 EUR
10+27.12 EUR
50+25.83 EUR
100+22.3 EUR
250+20.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120065K3S 3971404.pdf
UJ3N120065K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+29.98 EUR
10+25.73 EUR
50+23.8 EUR
100+20.54 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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