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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
Мікросхема QPM6000 Qorvo ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1720 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема QPP0100 Qorvo RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+860 EUR
10+791.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RF3023 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.64 EUR
10+3.96 EUR
100+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RF5110G Qorvo ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+32.68 EUR
10+29.93 EUR
100+28.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFPA2545 Qorvo ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+110.08 EUR
10+96.32 EUR
100+89.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2023 Qorvo ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+39.56 EUR
10+34.4 EUR
100+31.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2033 Qorvo ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+20.64 EUR
10+17.2 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2113 Qorvo ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+134.16 EUR
10+132.27 EUR
100+120.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA3513 Qorvo ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+33.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSW6042 Qorvo ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.66 EUR
10+9.63 EUR
100+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBA-5089Z Qorvo СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+19.61 EUR
10+17.89 EUR
100+16.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-1089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+51.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-3089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+25.8 EUR
10+22.36 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-5089Z Qorvo СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+18.58 EUR
10+16.68 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SPF-5043Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.35 EUR
10+9.8 EUR
100+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SPF-5122Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+25.11 EUR
10+22.88 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SZA-3044Z Qorvo ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+21.4 EUR
10+19.54 EUR
100+18.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGA2227-SM Qorvo ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1032 EUR
10+980.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2206-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+550.4 EUR
10+516 EUR
100+495.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2209-SM Qorvo Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+275.2 EUR
10+268.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2210-SM Qorvo ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+430 EUR
10+344 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2217-SM Qorvo ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+189.2 EUR
10+165.12 EUR
100+147.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2223-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+309.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQL9092 Qorvo ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+20.12 EUR
10+17.54 EUR
100+16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQL9093 Qorvo ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+30.96 EUR
10+25.8 EUR
100+23.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369181 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.98 EUR
10+8.77 EUR
100+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369184 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+8.43 EUR
100+7.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369185 Qorvo InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+20.64 EUR
10+17.2 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9007 Qorvo ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+48.16 EUR
10+45.92 EUR
100+43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9009 Qorvo ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+41.28 EUR
10+37.84 EUR
100+34.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9028 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+27.18 EUR
10+23.56 EUR
100+21.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9036 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+18.92 EUR
10+16.68 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9037 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+24.08 EUR
10+22.36 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9038 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+26.14 EUR
10+23.05 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP5523 Qorvo ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+23.56 EUR
10+20.47 EUR
100+18.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9101 Qorvo ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+27.52 EUR
10+24.08 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9103 Qorvo ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+56.07 EUR
10+52.12 EUR
100+48.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9104 Qorvo ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+86 EUR
10+77.4 EUR
100+68.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S QORVO 3750912.pdf Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S QORVO 3750931.pdf Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06512TS UJ3D06512TS QORVO 3750925.pdf Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1202TS UJ3D1202TS QORVO 3750914.pdf Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S QORVO 3750932.pdf Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 51 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 185 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210TS UJ3D1210TS QORVO 3750918.pdf Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO da008657 Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO da008644 Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема QPM6000
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1720 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема QPP0100
Hersteller: Qorvo
RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+860 EUR
10+791.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RF3023
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.64 EUR
10+3.96 EUR
100+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RF5110G
Hersteller: Qorvo
ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.68 EUR
10+29.93 EUR
100+28.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFPA2545
Hersteller: Qorvo
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+110.08 EUR
10+96.32 EUR
100+89.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2023
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+39.56 EUR
10+34.4 EUR
100+31.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2033
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.64 EUR
10+17.2 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA2113
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+134.16 EUR
10+132.27 EUR
100+120.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSA3513
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема RFSW6042
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.66 EUR
10+9.63 EUR
100+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBA-5089Z
Hersteller: Qorvo
СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.61 EUR
10+17.89 EUR
100+16.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-1089Z
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+51.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-3089Z
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.8 EUR
10+22.36 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SBB-5089Z
Hersteller: Qorvo
СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.58 EUR
10+16.68 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SPF-5043Z
Hersteller: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.35 EUR
10+9.8 EUR
100+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SPF-5122Z
Hersteller: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.11 EUR
10+22.88 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема SZA-3044Z
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.4 EUR
10+19.54 EUR
100+18.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGA2227-SM
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1032 EUR
10+980.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2206-SM
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+550.4 EUR
10+516 EUR
100+495.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2209-SM
Hersteller: Qorvo
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+275.2 EUR
10+268.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2210-SM
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+430 EUR
10+344 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2217-SM
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+189.2 EUR
10+165.12 EUR
100+147.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TGL2223-SM
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+309.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQL9092
Hersteller: Qorvo
ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+20.12 EUR
10+17.54 EUR
100+16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQL9093
Hersteller: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+30.96 EUR
10+25.8 EUR
100+23.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369181
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
auf Bestellung 118 Stücke:
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1+9.98 EUR
10+8.77 EUR
100+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369184
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+9.29 EUR
10+8.43 EUR
100+7.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP369185
Hersteller: Qorvo
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+20.64 EUR
10+17.2 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9007
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+48.16 EUR
10+45.92 EUR
100+43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9009
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+41.28 EUR
10+37.84 EUR
100+34.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9028
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+27.18 EUR
10+23.56 EUR
100+21.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9036
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.92 EUR
10+16.68 EUR
100+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9037
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+24.08 EUR
10+22.36 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP3M9038
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.14 EUR
10+23.05 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP5523
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.56 EUR
10+20.47 EUR
100+18.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9101
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.52 EUR
10+24.08 EUR
100+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9103
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+56.07 EUR
10+52.12 EUR
100+48.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Мікросхема TQP7M9104
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+86 EUR
10+77.4 EUR
100+68.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3S 3750912.pdf
UJ3C120080K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 436 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065025K3S 3750931.pdf
UJ3N065025K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06512TS 3750925.pdf
UJ3D06512TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1202TS 3750914.pdf
UJ3D1202TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D1210TS 3750918.pdf
UJ3D1210TS
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3S da008657
UF4C120070K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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