Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TQP3M9036 | Qorvo |
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auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA2609 | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-16 7GHz to 14GHz GaAs Low Noise Amplifier, Nf=1,1dB, Gain = 26dB, Input IP3 = 18dBm |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA0363A | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGL2209-SM | Qorvo |
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auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQL9093 | Qorvo |
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auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFPA2545 | Qorvo | ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGA2227-SM | Qorvo | ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGL2767–SM | Qorvo | ИМС СВЧ 2 – 31GHz Voltage Variable Attenuator |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG201-63G | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPL9503 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-6 GHz Ultra Low Noise Flat Gain LNA |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA4463A | Qorvo |
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auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA4263A | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG203-63G | Qorvo |
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auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP369184 | Qorvo |
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auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA6489A | Qorvo |
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auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP5523 | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFSA3513 | Qorvo | ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP9111 | Qorvo |
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auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP7M9101 | Qorvo |
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auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPC6054 | Qorvo | ИМС СВЧ QFN-24 (4x4mm) 5MHz to 6GHz Absorptive High Isolation SP5T Switch |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGL2206-SM | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPC1217Q | Qorvo | ИМС СВЧ RF Switch, 0,7 to 6,0 ГГц, DPDT, 0,33 dB IL, 33,6 dB ISO, 2,8 В, DFN, 1.1 x 1.5 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CMD170P4 | Qorvo |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPL9098 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA9121 | Qorvo | ИМС ВЧ SMT-16 2,3-5 GHz Variable Gain Driver Amplifier, Gss=28 dB, P1dB=25.5 dBm, 5 V |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CMD305P3 | Qorvo | ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA4586A | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP3M9037 | Qorvo |
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auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGL2223-SM | Qorvo | ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPL9058 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,5-6 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,6dB NF @ 3,6 GHz |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPB7425 | Qorvo | CATV Amplifier 50-1220 MHz, Gss=25 dB, P1dB=+15,4 dBm, Ud=3 V, Id=40 mA, SOT-89 |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA2598 | Qorvo |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPB2328SR | Qorvo | ИМС SOIC-8 5 – 210 MHz 17.5 dB Balanced Return Path Amplifier |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQP3M9007 | Qorvo | ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA2610 | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-24 (5x5mm) 8,5-10,5 2 Watt X-Band Power Amplifier |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPP0100 | Qorvo | RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA9501TR13 | Qorvo |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPB7420 | Qorvo | CATV Amplifier 75 Ω 5-1218 MHz, Gss=20 dB, P1dB=+15,3 dBm, Ud=3 V, Id=35 mA, SOT-89 |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPM6000 | Qorvo | ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CMD297P34 | Qorvo |
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auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CMD271P3 | Qorvo |
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auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPC2108 | Qorvo | ІМС НВЧ QFN-28 (6x6mm) 2.5-4GHz 6-Bit Digital Phase Shifter |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPC6614 | Qorvo | ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) 5 MHz to 6000 MHz Digital Step Attenuator 6-Bit, 31.5 dB, 0.5dB Step Vs=3-5V |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGA2976-SM | Qorvo |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPA2237 | Qorvo |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TGA2599-SM | Qorvo | ИМС QFN-20 5 to 8 GHz 2W GaN Driver Amplifier |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QPC4043TR7 | Qorvo | Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DWM1000 | QORVO |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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UJ3D06530TS | QORVO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 72nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UJ3C120080K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3SC065007K4S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3C120400K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3SC120016K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3SC120016K4S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UJ3N065025K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UJ3D1210KSD | QORVO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 54nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UJ3D1210KS | QORVO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3C065040B3 | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3SC120009K4S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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UF3C120150K4S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
TQP3M9036 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 19.58 EUR |
10+ | 17.27 EUR |
100+ | 16.02 EUR |
QPA2609 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-16 7GHz to 14GHz GaAs Low Noise Amplifier, Nf=1,1dB, Gain = 26dB, Input IP3 = 18dBm
ИМС ВЧ QFN-16 7GHz to 14GHz GaAs Low Noise Amplifier, Nf=1,1dB, Gain = 26dB, Input IP3 = 18dBm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 295.48 EUR |
10+ | 267.00 EUR |
100+ | 242.08 EUR |
QPA0363A |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.12 EUR |
10+ | 6.41 EUR |
100+ | 5.87 EUR |
TGL2209-SM |
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Hersteller: Qorvo
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 284.80 EUR |
10+ | 277.68 EUR |
TQL9093 |
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Hersteller: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 32.04 EUR |
10+ | 26.70 EUR |
100+ | 23.85 EUR |
RFPA2545 |
Hersteller: Qorvo
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 113.92 EUR |
10+ | 99.68 EUR |
100+ | 92.56 EUR |
TGA2227-SM |
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1068.00 EUR |
10+ | 1014.60 EUR |
TGL2767–SM |
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ 2 – 31GHz Voltage Variable Attenuator
ИМС СВЧ 2 – 31GHz Voltage Variable Attenuator
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 391.60 EUR |
10+ | 356.00 EUR |
100+ | 320.40 EUR |
AG201-63G |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.54 EUR |
10+ | 7.12 EUR |
100+ | 6.59 EUR |
QPL9503 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-6 GHz Ultra Low Noise Flat Gain LNA
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-6 GHz Ultra Low Noise Flat Gain LNA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 19.22 EUR |
10+ | 16.73 EUR |
100+ | 15.13 EUR |
QPA4463A |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 9.61 EUR |
10+ | 8.37 EUR |
100+ | 7.65 EUR |
QPA4263A |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.86 EUR |
10+ | 9.79 EUR |
100+ | 9.08 EUR |
AG203-63G |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.48 EUR |
10+ | 6.59 EUR |
100+ | 5.87 EUR |
TQP369184 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.61 EUR |
10+ | 8.72 EUR |
100+ | 8.01 EUR |
QPA6489A |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 DC-3500 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,2 dB, P1dB=19,4 dBm, IP3=31,9 dBm, Nf=3,4 dB @ 1950 MHz, Id=75 mA, Vd=4,7-5,5 V
ИМС ВЧ SOT-89 DC-3500 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,2 dB, P1dB=19,4 dBm, IP3=31,9 dBm, Nf=3,4 dB @ 1950 MHz, Id=75 mA, Vd=4,7-5,5 V
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.82 EUR |
10+ | 11.75 EUR |
100+ | 10.68 EUR |
TQP5523 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 24.39 EUR |
10+ | 21.18 EUR |
100+ | 19.58 EUR |
RFSA3513 |
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 34.28 EUR |
TQP9111 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN-20 1,8-2,7 MHz 2 Watt Power Amplifier, Nf=6,2 dB, G=29,8 dB @ 2140 MHz
ИМС QFN-20 1,8-2,7 MHz 2 Watt Power Amplifier, Nf=6,2 dB, G=29,8 dB @ 2140 MHz
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 106.80 EUR |
10+ | 92.56 EUR |
100+ | 83.66 EUR |
TQP7M9101 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 28.48 EUR |
10+ | 24.92 EUR |
100+ | 21.36 EUR |
QPC6054 |
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-24 (4x4mm) 5MHz to 6GHz Absorptive High Isolation SP5T Switch
ИМС СВЧ QFN-24 (4x4mm) 5MHz to 6GHz Absorptive High Isolation SP5T Switch
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 46.28 EUR |
10+ | 40.94 EUR |
100+ | 37.02 EUR |
TGL2206-SM |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 569.60 EUR |
10+ | 534.00 EUR |
100+ | 512.64 EUR |
QPC1217Q |
Hersteller: Qorvo
ИМС СВЧ RF Switch, 0,7 to 6,0 ГГц, DPDT, 0,33 dB IL, 33,6 dB ISO, 2,8 В, DFN, 1.1 x 1.5
ИМС СВЧ RF Switch, 0,7 to 6,0 ГГц, DPDT, 0,33 dB IL, 33,6 dB ISO, 2,8 В, DFN, 1.1 x 1.5
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.82 EUR |
10+ | 11.57 EUR |
100+ | 10.68 EUR |
CMD170P4 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС RF Amplifier, Driver, GaAs, 7.5 to 9 GHz, 30 dB, 28.3 dBm, 4 x 4 mm, QFN
ИМС RF Amplifier, Driver, GaAs, 7.5 to 9 GHz, 30 dB, 28.3 dBm, 4 x 4 mm, QFN
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 534.00 EUR |
QPL9098 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 44.50 EUR |
10+ | 39.16 EUR |
100+ | 35.60 EUR |
QPA9121 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SMT-16 2,3-5 GHz Variable Gain Driver Amplifier, Gss=28 dB, P1dB=25.5 dBm, 5 V
ИМС ВЧ SMT-16 2,3-5 GHz Variable Gain Driver Amplifier, Gss=28 dB, P1dB=25.5 dBm, 5 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 36.13 EUR |
10+ | 32.82 EUR |
100+ | 29.90 EUR |
CMD305P3 |
Hersteller: Qorvo
ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm
ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 373.80 EUR |
10+ | 356.00 EUR |
QPA4586A |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V
ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.02 EUR |
10+ | 14.24 EUR |
100+ | 12.99 EUR |
TQP3M9037 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 24.92 EUR |
10+ | 23.14 EUR |
100+ | 21.36 EUR |
TGL2223-SM |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 320.40 EUR |
QPL9058 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,5-6 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,6dB NF @ 3,6 GHz
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,5-6 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,6dB NF @ 3,6 GHz
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 32.04 EUR |
10+ | 28.48 EUR |
100+ | 24.92 EUR |
QPB7425 |
Hersteller: Qorvo
CATV Amplifier 50-1220 MHz, Gss=25 dB, P1dB=+15,4 dBm, Ud=3 V, Id=40 mA, SOT-89
CATV Amplifier 50-1220 MHz, Gss=25 dB, P1dB=+15,4 dBm, Ud=3 V, Id=40 mA, SOT-89
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 49.84 EUR |
10+ | 42.72 EUR |
100+ | 35.60 EUR |
QPA2598 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 6-12 GHz2.5 W GaN Driver Amplifier
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 6-12 GHz2.5 W GaN Driver Amplifier
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 445.00 EUR |
10+ | 373.80 EUR |
QPB2328SR |
Hersteller: Qorvo
ИМС SOIC-8 5 – 210 MHz 17.5 dB Balanced Return Path Amplifier
ИМС SOIC-8 5 – 210 MHz 17.5 dB Balanced Return Path Amplifier
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 64.08 EUR |
TQP3M9007 |
Hersteller: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 49.84 EUR |
10+ | 47.53 EUR |
100+ | 44.50 EUR |
QPA2610 |
Hersteller: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-24 (5x5mm) 8,5-10,5 2 Watt X-Band Power Amplifier
ИМС ВЧ QFN-24 (5x5mm) 8,5-10,5 2 Watt X-Band Power Amplifier
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 267.00 EUR |
10+ | 249.20 EUR |
100+ | 231.40 EUR |
QPP0100 |
Hersteller: Qorvo
RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 890.00 EUR |
10+ | 818.80 EUR |
QPA9501TR13 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ІМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 4,9-5,9 GHz RF Power MMIC Amplifier, Gss=32 dB, P1dB=33 dBm, Vs=5 V
ІМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 4,9-5,9 GHz RF Power MMIC Amplifier, Gss=32 dB, P1dB=33 dBm, Vs=5 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 24.92 EUR |
10+ | 22.78 EUR |
100+ | 21.00 EUR |
QPB7420 |
Hersteller: Qorvo
CATV Amplifier 75 Ω 5-1218 MHz, Gss=20 dB, P1dB=+15,3 dBm, Ud=3 V, Id=35 mA, SOT-89
CATV Amplifier 75 Ω 5-1218 MHz, Gss=20 dB, P1dB=+15,3 dBm, Ud=3 V, Id=35 mA, SOT-89
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 29.01 EUR |
10+ | 26.34 EUR |
100+ | 24.03 EUR |
QPM6000 |
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1780.00 EUR |
CMD297P34 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter
ІМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 480.60 EUR |
10+ | 427.20 EUR |
100+ | 373.80 EUR |
CMD271P3 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ІМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm
ІМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 356.00 EUR |
10+ | 338.20 EUR |
100+ | 320.40 EUR |
QPC2108 |
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-28 (6x6mm) 2.5-4GHz 6-Bit Digital Phase Shifter
ІМС НВЧ QFN-28 (6x6mm) 2.5-4GHz 6-Bit Digital Phase Shifter
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 979.00 EUR |
QPC6614 |
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) 5 MHz to 6000 MHz Digital Step Attenuator 6-Bit, 31.5 dB, 0.5dB Step Vs=3-5V
ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) 5 MHz to 6000 MHz Digital Step Attenuator 6-Bit, 31.5 dB, 0.5dB Step Vs=3-5V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 32.04 EUR |
10+ | 28.48 EUR |
100+ | 24.92 EUR |
TGA2976-SM |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ІМС Power Amplifier, 0.1 - 3.0 GHz, 40 dBm, 20 dB, GaN, 4.0 x 4.0
ІМС Power Amplifier, 0.1 - 3.0 GHz, 40 dBm, 20 dB, GaN, 4.0 x 4.0
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 890.00 EUR |
QPA2237 |
![]() |
Hersteller: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4х0,85mm) 0,03-2,5 GHz 10 W GaN Power Amplifier
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4х0,85mm) 0,03-2,5 GHz 10 W GaN Power Amplifier
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 729.80 EUR |
10+ | 676.40 EUR |
TGA2599-SM |
Hersteller: Qorvo
ИМС QFN-20 5 to 8 GHz 2W GaN Driver Amplifier
ИМС QFN-20 5 to 8 GHz 2W GaN Driver Amplifier
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 890.00 EUR |
QPC4043TR7 |
Hersteller: Qorvo
Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss
Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 62.30 EUR |
10+ | 60.52 EUR |
DWM1000 |
![]() |
Hersteller: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 75.91 EUR |
UJ3D06530TS |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UJ3C120080K3S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3SC065007K4S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3C120400K3S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3SC120016K3S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3SC120016K4S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UJ3N065025K3S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UJ3D1210KSD |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UJ3D1210KS |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3C065040B3 |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3SC120009K4S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UF3C120150K4S |
![]() |
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH