Produkte > SAMSUNG > Alle Produkte des Herstellers SAMSUNG (18843) > Seite 258 nach 315

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 31 62 93 124 155 186 217 248 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 279 310 315  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
K4H510838D-UCB3 Samsung SAMSS07064-1.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H561638H-ZCCC Samsung Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622D-TC80 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622H-TC70 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632E-TC75000 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UC75T Samsung Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UI75 Samsung Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632N-LI75T00 Samsung K4S561632N-LI75T00_SAM.pdf Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 60 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S640832H-TC75 Samsung K4S640832H-TC75.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 247 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S641632H-UC75T Samsung SAMSS06213-1.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4T1G164QG-BCF7000 Samsung Samsung_Consumer.pdf Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7M161835B-QC65 Samsung 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC Samsung k4h511638d.pdf Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000 Samsung Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 Samsung K6F1616U6C-FF55.PDF Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10 Samsung Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T Samsung Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 360 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-TI10 Samsung Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-UI10 Samsung K6R4016V1D_rev4.pdf Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GF70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GB70 Samsung description Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-GB55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-GF55 (Микросхема) Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008V1C-VF70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-DF55 Samsung Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DF55 Samsung K6X1008C2D_SAM.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008T2D-GF70 Samsung Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-BF55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008C2B-TF55 Samsung K6X8008C2B-TF55_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-TF55 Samsung ... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-UF55 Samsung K6X8008T2B_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PC75 Samsung Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PI75 Samsung Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N161831B-QC16 Samsung Быстрая статическая память... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N643645M-PC2500 Samsung K7N643645M_Samsung.pdf Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KM681000BLG-7L Samsung Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1208U0C-PCB0 Samsung Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0B-PCB0 Samsung k9f1g08u0b_rev10_samsung.pdf Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0C-PCB0 Samsung Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SCB0000 Samsung Spansion_Samsung_NAND.pdf Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SIB0 Samsung Spansion_Samsung_NAND.pdf Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F5608U0C-YIB0 Samsung K9F5608U0C-YIB0.PDF Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 43 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0A-PCB0 Samsung Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0B-PCB0 Samsung Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9HCG08U1MPCB0 Samsung память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K4G08U0M-PCB0 Samsung ... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H510838D-UCB3 SAMSS07064-1.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H561638H-ZCCC
Hersteller: Samsung
Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622D-TC80
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622H-TC70
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632E-TC75000
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UC75T
Hersteller: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UI75
Hersteller: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632N-LI75T00 K4S561632N-LI75T00_SAM.pdf
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 60 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S640832H-TC75 K4S640832H-TC75.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 247 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S641632H-UC75T SAMSS06213-1.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4T1G164QG-BCF7000 Samsung_Consumer.pdf
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7M161835B-QC65
Hersteller: Samsung
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC k4h511638d.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 K6F1616U6C-FF55.PDF
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 360 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-TI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-UI10 K6R4016V1D_rev4.pdf
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GB70 description
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-GF55 (Микросхема)
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008V1C-VF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-DF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DF55 K6X1008C2D_SAM.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008T2D-GF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-BF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008C2B-TF55 K6X8008C2B-TF55_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-TF55
Hersteller: Samsung
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-UF55 K6X8008T2B_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PC75
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PI75
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N161831B-QC16
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N643645M-PC2500 K7N643645M_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KM681000BLG-7L
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1208U0C-PCB0
Hersteller: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0B-PCB0 k9f1g08u0b_rev10_samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0C-PCB0
Hersteller: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SCB0000 Spansion_Samsung_NAND.pdf
Hersteller: Samsung
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SIB0 Spansion_Samsung_NAND.pdf
Hersteller: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F5608U0C-YIB0 K9F5608U0C-YIB0.PDF
Hersteller: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 43 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0A-PCB0
Hersteller: Samsung
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0B-PCB0
Hersteller: Samsung
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9HCG08U1MPCB0
Hersteller: Samsung
память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K4G08U0M-PCB0
Hersteller: Samsung
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 31 62 93 124 155 186 217 248 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 279 310 315  [ Nächste Seite >> ]