Produkte > SAMSUNG > Alle Produkte des Herstellers SAMSUNG (18840) > Seite 259 nach 314

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 31 62 93 124 155 186 217 248 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 279 310 314  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
K7M161835B-QC65 Samsung 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC Samsung k4h511638d.pdf Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000 Samsung Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 Samsung K6F1616U6C-FF55.PDF Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10 Samsung Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T Samsung Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Очікується: 360 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-TI10 Samsung Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-UI10 Samsung K6R4016V1D_rev4.pdf Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GF70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GB70 Samsung description Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-GB55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-GF55 (Микросхема) Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008V1C-VF70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-DF55 Samsung Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DF55 Samsung K6X1008C2D_SAM.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008T2D-GF70 Samsung Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-BF55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008C2B-TF55 Samsung K6X8008C2B-TF55_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-TF55 Samsung ... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-UF55 Samsung K6X8008T2B_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PC75 Samsung Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PI75 Samsung Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N161831B-QC16 Samsung Быстрая статическая память... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N643645M-PC2500 Samsung K7N643645M_Samsung.pdf Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KM681000BLG-7L Samsung Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1208U0C-PCB0 Samsung Память FLASH (64Mx8bit)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0B-PCB0 Samsung k9f1g08u0b_rev10_samsung.pdf Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0C-PCB0 Samsung Память FLASH (64Mx8bit)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SCB0000 Samsung Spansion_Samsung_NAND.pdf Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SIB0 Samsung Spansion_Samsung_NAND.pdf Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F5608U0C-YIB0 Samsung K9F5608U0C-YIB0.PDF Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 43 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0A-PCB0 Samsung Память Flash... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0B-PCB0 Samsung Память Flash... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9HCG08U1MPCB0 Samsung память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K4G08U0M-PCB0 Samsung ... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PCB0000 Samsung Память NAND Flash (8G-bit + 256M-bit spare, разрядность x8, 100K циклов, 10 лет, Vcc=2.7-3.6 V, версия B... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9WBG08U1M-PCB0 Samsung Память NAND Flash (32Gb-NAND-Flash Vcc=2.7-3.6 V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9WBG08U1M-PCB0000 Samsung Память NAND Flash (32Gb-NAND-Flash Vcc=2.7-3.6 V, 0 to +70C)., Vcc,В x, Об. пам. x,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA22429D Samsung Мікросхема ФМ приймача, Uживл, В = 1.8...6, Тексп, °C = -10...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21C131JBANNNC Samsung Samsung_cercap_smd.pdf Конденсатор керамічний smd, С = 130 пФ, Uном, В = 50, ТКЄ = C0G, NP0, Точн., % = 5, Габ. розм., мм = 2.00 x 1.25, Т,°С = -55...+125, Типорозм. = 0805,... Конденсатори Корпус: 0805 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 32 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1A106KAAR Samsung Конденсатор танталовый, С = 10 мкФ, Uном, В = 10, Точн.,% = 10, Типоразм. = А, Габаритн. разм., мм = 3.2 х 1.6, Тэксп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1A106KACR Samsung Конденсатор танталовый, С = 10 мкФ, Uном, В = 10, Точн.,% = 10, Типоразм. = A, Габаритн. разм., мм = 3.2 x 1.6, Тэксп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1V105KAAR Samsung SAM_tcscs.pdf Конденсатор танталовий smd, С = 1 мкФ, Uном, В = 35, Точн.,% = 10, Типорозм. = A, Габаритн. розм., мм = 3,2 x 1,6, Тексп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21A226MAQNNNE Samsung CL21A225KPFNNNE_Samsung.pdf Конденсатор керамічний smd, С = 22 мкФ, U, В = 25, Розм = 0805, Точн., % = 20, ТКЄ = X5R, Тексп, °C = -55...+85, Тип сер. = CL21,... Конденсатори Корпус: 0805 Очікується: 15 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL05B822KB5NNNC Samsung CL05C180JB5NNNC.pdf Конденсатор керамічний smd, С = 8,2 нФ, U, В = 50, Точн., % = 10, ТКЄ = X7R, Розм = 1 x 0.5, Тексп, °C = -55...+125,, Тип сер. = CL05,... Конденсатори Корпус: 0402 Очікується: 10 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21B224KCFSFNE Samsung Samsung_cercap_smd.pdf Конденсатор керамічний smd, С = 220 нФ, Uном, В = 100, Точн., % = 10, Габ. розм., мм = 2,01 x 1,25 x 1,35, Т,°С = -55...+125, Тип сер. = CL21, Типорозм. = 0805,... Конденсатори Корпус: 0805 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 18 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7M161835B-QC65
Hersteller: Samsung
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC k4h511638d.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 K6F1616U6C-FF55.PDF
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Очікується: 360 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-TI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-UI10 K6R4016V1D_rev4.pdf
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GB70 description
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-GF55 (Микросхема)
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008V1C-VF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-DF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X0808C1D-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008C2D-DF55 K6X1008C2D_SAM.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X1008T2D-GF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-BF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X4008C1F-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008C2B-TF55 K6X8008C2B-TF55_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-TF55
Hersteller: Samsung
... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6X8008T2B-UF55 K6X8008T2B_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PC75
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7B163635B-PI75
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N161831B-QC16
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7N643645M-PC2500 K7N643645M_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KM681000BLG-7L
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1208U0C-PCB0
Hersteller: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0B-PCB0 k9f1g08u0b_rev10_samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0C-PCB0
Hersteller: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SCB0000 Spansion_Samsung_NAND.pdf
Hersteller: Samsung
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F1G08U0D-SIB0 Spansion_Samsung_NAND.pdf
Hersteller: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9F5608U0C-YIB0 K9F5608U0C-YIB0.PDF
Hersteller: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 43 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0A-PCB0
Hersteller: Samsung
Память Flash... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9G4G08U0B-PCB0
Hersteller: Samsung
Память Flash... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9HCG08U1MPCB0
Hersteller: Samsung
память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K4G08U0M-PCB0
Hersteller: Samsung
... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PCB0000
Hersteller: Samsung
Память NAND Flash (8G-bit + 256M-bit spare, разрядность x8, 100K циклов, 10 лет, Vcc=2.7-3.6 V, версия B... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9WBG08U1M-PCB0
Hersteller: Samsung
Память NAND Flash (32Gb-NAND-Flash Vcc=2.7-3.6 V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9WBG08U1M-PCB0000
Hersteller: Samsung
Память NAND Flash (32Gb-NAND-Flash Vcc=2.7-3.6 V, 0 to +70C)., Vcc,В x, Об. пам. x,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA22429D
Hersteller: Samsung
Мікросхема ФМ приймача, Uживл, В = 1.8...6, Тексп, °C = -10...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21C131JBANNNC Samsung_cercap_smd.pdf
Hersteller: Samsung
Конденсатор керамічний smd, С = 130 пФ, Uном, В = 50, ТКЄ = C0G, NP0, Точн., % = 5, Габ. розм., мм = 2.00 x 1.25, Т,°С = -55...+125, Типорозм. = 0805,... Конденсатори Корпус: 0805 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 32 Stücke:
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1A106KAAR
Hersteller: Samsung
Конденсатор танталовый, С = 10 мкФ, Uном, В = 10, Точн.,% = 10, Типоразм. = А, Габаритн. разм., мм = 3.2 х 1.6, Тэксп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1A106KACR
Hersteller: Samsung
Конденсатор танталовый, С = 10 мкФ, Uном, В = 10, Точн.,% = 10, Типоразм. = A, Габаритн. разм., мм = 3.2 x 1.6, Тэксп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSCS1V105KAAR SAM_tcscs.pdf
Hersteller: Samsung
Конденсатор танталовий smd, С = 1 мкФ, Uном, В = 35, Точн.,% = 10, Типорозм. = A, Габаритн. розм., мм = 3,2 x 1,6, Тексп, °C = -55...+125,... Конденсатори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21A226MAQNNNE CL21A225KPFNNNE_Samsung.pdf
Hersteller: Samsung
Конденсатор керамічний smd, С = 22 мкФ, U, В = 25, Розм = 0805, Точн., % = 20, ТКЄ = X5R, Тексп, °C = -55...+85, Тип сер. = CL21,... Конденсатори Корпус: 0805 Очікується: 15 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL05B822KB5NNNC CL05C180JB5NNNC.pdf
Hersteller: Samsung
Конденсатор керамічний smd, С = 8,2 нФ, U, В = 50, Точн., % = 10, ТКЄ = X7R, Розм = 1 x 0.5, Тексп, °C = -55...+125,, Тип сер. = CL05,... Конденсатори Корпус: 0402 Очікується: 10 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL21B224KCFSFNE Samsung_cercap_smd.pdf
Hersteller: Samsung
Конденсатор керамічний smd, С = 220 нФ, Uном, В = 100, Точн., % = 10, Габ. розм., мм = 2,01 x 1,25 x 1,35, Т,°С = -55...+125, Тип сер. = CL21, Типорозм. = 0805,... Конденсатори Корпус: 0805 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 18 Stücke:
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 31 62 93 124 155 186 217 248 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 279 310 314  [ Nächste Seite >> ]