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STN1NK60Z ST en.CD00003347.pdf 600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
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STN1NK60Z STN1NK60Z STM en.CD00003347.pdf MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
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STQ1NK60ZR-AP ST en.CD00003347.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
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N1NK60Z ST
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S1NK60Z ST 09+ SOP8
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STB11NK60Z-1
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STN1NK60Z-TR
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STQ1NK60ZR ST 06+ TO-92
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STQ1NK60ZR-
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STQ1NK60ZR-AP$F1 ST TO-92 08+
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STQ1NK60ZR-AP$V3
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STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf
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STN1NK60Z STN1NK60Z
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ST STN1NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 0,25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 94/4,9
Montage: SMD
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STQ1NK60ZR(Transistor)
Produktcode: 47888
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STQ1NK60ZR-AP
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en.CD00003347.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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STS1NK60Z(Transistor)
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STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6.9 @ 10 В, Rds = 15 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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STN1NK60ZL STM stn1nk60zl.pdf MOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
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STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
Hersteller: ST
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
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STN1NK60Z
Hersteller: STM
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
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STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
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N1NK60Z
Hersteller: ST
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S1NK60Z
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09+ SOP8
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STB11NK60Z-1
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STN1NK60Z-TR
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STQ1NK60ZR
Hersteller: ST
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STQ1NK60ZR-
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STQ1NK60ZR-AP$F1
Hersteller: ST
TO-92 08+
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STQ1NK60ZR-AP$V3
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Hersteller: ST
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STN1NK60Z
Produktcode: 25979
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STN1NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 0,25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 94/4,9
Montage: SMD
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STQ1NK60ZR(Transistor)
Produktcode: 47888
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STQ1NK60ZR-AP
Produktcode: 85095
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STS1NK60Z(Transistor)
Produktcode: 45711
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STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6.9 @ 10 В, Rds = 15 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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STN1NK60ZL stn1nk60zl.pdf
Hersteller: STM
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
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