Suchergebnisse für "1nk60z" : 38

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
180+0.4 EUR
192+0.37 EUR
206+0.35 EUR
227+0.32 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z ST en.CD00003347.pdf 600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
180+0.4 EUR
192+0.37 EUR
206+0.35 EUR
227+0.32 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
32+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 7313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: STN1NK60ZL
auf Bestellung 8299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
auf Bestellung 13144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.3 EUR
8000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
21+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Pulsed drain current: 0.189A
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: Ammo Pack
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
205+0.35 EUR
257+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP ST en.CD00003347.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Pulsed drain current: 0.189A
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: Ammo Pack
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
205+0.35 EUR
257+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.52 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
35+0.51 EUR
100+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.29 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.55 EUR
10+0.54 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N1NK60Z ST
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S1NK60Z ST 09+ SOP8
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB11NK60Z-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STMicroelectronics NV en.CD00003347.pdf MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z-TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR ST 06+ TO-92
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP$F1 ST TO-92 08+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP$V3
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf 09+ SO-8
auf Bestellung 38675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf SOP8
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf
auf Bestellung 64315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой; STN1NK60Z; 0,8A; 600V; N-MOSFET; Корпус: SOT-223; STM (шт)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z STN1NK60Z
Produktcode: 25979
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ST STN1NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 600
Idd,A: 0.25
Rds(on), Ohm: 15
Ciss, pF/Qg, nC: 09.04.1994
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR(Transistor)
Produktcode: 47888
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Produktcode: 85095
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

en.CD00003347.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z(Transistor)
Produktcode: 45711
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a
STN1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
180+0.4 EUR
192+0.37 EUR
206+0.35 EUR
227+0.32 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
Hersteller: ST
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a
STN1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
180+0.4 EUR
192+0.37 EUR
206+0.35 EUR
227+0.32 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
32+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 7313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.64 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistors - Unclassified
Description: STN1NK60ZL
auf Bestellung 8299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
STN1NK60ZL
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
auf Bestellung 13144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.39 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
STN1NK60ZL
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.3 EUR
8000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
STN1NK60ZL
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.41 EUR
21+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Pulsed drain current: 0.189A
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: Ammo Pack
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
205+0.35 EUR
257+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Pulsed drain current: 0.189A
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: Ammo Pack
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
205+0.35 EUR
257+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
10+0.52 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
35+0.51 EUR
100+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.29 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
STS1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
STS1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.55 EUR
10+0.54 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N1NK60Z
Hersteller: ST
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S1NK60Z
Hersteller: ST
09+ SOP8
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB11NK60Z-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics NV
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z-TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR
Hersteller: ST
06+ TO-92
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP$F1
Hersteller: ST
TO-92 08+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP$V3
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Hersteller: ST
09+ SO-8
auf Bestellung 38675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Hersteller: ST
SOP8
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Hersteller: ST
auf Bestellung 64315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой; STN1NK60Z; 0,8A; 600V; N-MOSFET; Корпус: SOT-223; STM (шт)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z
Produktcode: 25979
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

STN1NK60Z.pdf
STN1NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 600
Idd,A: 0.25
Rds(on), Ohm: 15
Ciss, pF/Qg, nC: 09.04.1994
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR(Transistor)
Produktcode: 47888
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NK60ZR-AP
Produktcode: 85095
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z(Transistor)
Produktcode: 45711
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
STS1NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH