Suchergebnisse für "2N5109" : 13

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2N5109JAN IR
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2N5109JANTX IR
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JAN2N5109 MOTOROLA
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JANTX2N5109 MOTOROLA 6083-2n5109-rev-pdf.pdf
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JX2N5109 MOTOROLA
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2N5109 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31239
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Central Semiconductor Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
fT: 1.2 GHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 40
Ic,A: 0,4
h21: 120
Bem.: 1Wt
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JAN2N5109
Produktcode: 60742
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5109 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT
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2N5109 Infineon Technologies Bipolar Transistors - BJT
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2N5109 2N5109 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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2N5109 PBFREE 2N5109 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5109.PDF Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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2N5109 MICROSEMI Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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JANTX2N5109 JANTX2N5109 Microsemi Corporation 6083-2n5109-rev-pdf.pdf Description: TRANS NPN TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
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2N5109JAN
Hersteller: IR
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2N5109JANTX
Hersteller: IR
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JAN2N5109
Hersteller: MOTOROLA
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JANTX2N5109 6083-2n5109-rev-pdf.pdf
Hersteller: MOTOROLA
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JX2N5109
Hersteller: MOTOROLA
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2N5109 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31239
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Hersteller: Central Semiconductor
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
fT: 1.2 GHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 40
Ic,A: 0,4
h21: 120
Bem.: 1Wt
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JAN2N5109
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5109
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT
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2N5109
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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2N5109
2N5109
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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2N5109 PBFREE 2N5109.PDF
2N5109 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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2N5109
Hersteller: MICROSEMI
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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JANTX2N5109 6083-2n5109-rev-pdf.pdf
JANTX2N5109
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
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