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2N5109 (NPN-Bipolartransistor) Central Semiconductor
Produktcode: 31239
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Central Semiconductor
Gehäuse: TO-39
Transitfrequenz fT: 1,2 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,4 A
Stromverstärkung h21: 120
Bemerkung: 1Wt
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5109 | Centralsemi | TO-5 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5109 | MICROSEMI | Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N5109 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB Power - Max: 2.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5109 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5109 |
Hersteller: Centralsemi
TO-5 Транзистори
TO-5 Транзистори
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| 2N5109 |
Hersteller: MICROSEMI
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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| 2N5109 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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| 2N5109 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT
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